TGV光电Interposer晶圆

TGV光电Interposer晶圆采用8英寸晶圆级制造工艺，通过激光诱导、深硅刻蚀技术，重布线层（RDL）、微凸点工艺，可最大支持3+2层RDL，实现110GHz以上布线带宽；支持LPO、oDSP及相干光通信等多样化应用场景，覆盖短距互联到长距传输的需求；提供4/8/12/16通道标准化方案，兼容主流光芯片（如EML、VCSEL、硅光、铌酸锂）与电芯片（如DML、DRV、TIA、DSP）的管脚定义，支持2.5D/3D堆叠封装技术，实现光电混合封装的高度集成化；可集成激光直写波导与interposer内开槽结构，可支持与FAU、MT插芯、MCF等低损耗耦合，实现高密度的光路扇入扇出；具备低串扰、高速信号完整性及超高集成度的优势，可有效解决超高速光引擎封装的瓶颈问题，成为下一代数据中心高速光互连的关键技术。